miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 350 nm : dau d'AMD K5 TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1898600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 350 nanòmetres (350 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 350 nm. És una millora de la tecnologia de 600 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 644 àtoms de llargada.
Tecnologia emprada Tecnologia de litografia millorada.
Processadors FabricantDataCPUNotesIntel1995Pentium Pro, IIAMD1996K5NEC2004VR4300Nintendo 64
FabricantIntelIBMAMDAMDDECFujitsuIDTNECTIMotorolaHitachiNom del procésP854CS-34CS-34EXCMOS-6CS-60HiPerMOS 2Primera producció199419941995199519961996199519971996Capes de Metal455565345 Valor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔValor500 nm ΔPas de contacte de porta550 nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xPas de connexió880 nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xCel·lula 1 bit de RAM18.1 µm²0.41x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x21.67 µm² ?x ? µm² ?x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia litogràfica
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats