miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 22 nm : Intel core i7 TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 22 nanòmetres (22 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 22 nm. És una millora de la tecnologia de 32 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 40 àtoms de llargada.
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant) Tecnologia de litografia millorada. Tecnologia de transistor FinFET
Processadors FabricantDataCPUNotesToshiba2010Memòria NANDHynix2010Memòria FlaixIntel2012Intel Core i7, i5 miniatura|Fig.2 Transistor FinFET
FabricantIntelCommon PlatformNom del procésP1270 (CPU) / P1271 (SoC)TipusFinFETPlanarPrimera producció20112012Oblia300 mm Valor32 nm ΔValor32 nm ΔPas de Fin60 nmN/AAmplada de Fin8 nmAlçada de Fin34 nmPas de contacte de porta90 nm0.80x100 nm0.79xPas de connexió80 nm0.71x80 nm ?xCel·lula 1 bit de RAM (HD)0.1080 µm²0.63x0.1 µm²0.67xCel·lula 1 bit de RAM (LP)0.092 µm² ?xCel·lula 1 bit de DRAM0.026 µm²0.67x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia Dielèctric low-k Tecnologia litogràfica
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats