CL15.
Pozostałe parametry pamięci RCD (RAS to CAS Delay; RAS – Row Access Strobe; CAS – Column Access Strobe) – czas jaki upływa od zakończenia wykonywania polecenia aktywacji konkretnej kolumny (CAS), do rozpoczęcia wykonywania polecenia aktywacji konkretnego wiersza (RAS). RP (RAS Precharge; RAS – Row Access Strobe) – czas jaki upływa między wykonaniem polecenia zamknięcia dostępu do wcześniej aktywowanego wiersza a rozpoczęciem wykonywania polecenia aktywacji kolejnego. RAT (Row Active Time) – czas jaki upływa od żądania wykonania polecenia aktywacji wiersza aż do jego dezaktywacji. CR (Command Rate) – czas jaki upływa pomiędzy poleceniami adresowania dwóch niekoniecznie różnych komórek pamięci.
Opóźnienia CL, RCD, RP według specyfikacji JEDEC, dla poszczególnych częstotliwości w pamięciach typu DDR2, powinny wynosić: DDR2-400 – 3-3-3, 4-4-4 DDR2-533 – 3-3-3, 4-4-4 DDR2-667 – 4-4-4, 5-5-5 DDR2-800 – 4-4-4, 5-5-5, 6-6-6
Parametr RAS JEDEC podaje w nanosekundach. Dla wszystkich standardów oprócz DDR2-400 3-3-3, gdzie ma on wartość od 40 do 70.000, powinien wynosić od 45 do 70.000.
Całkowity ciąg opóźnień CL-RCD-RP-RAS - RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP