Надія Овсіївна Корсунська (10 вересня 1939, Київ) — українська фізик, доктор фізико-математичних наук, професор, лауреатка Державної премії України в галузі науки і техніки.

Життєпис Після закінчення у 1954 Чернівецького університету почала працювати в Інституті фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України. З 1989 року — провідний науковий співробітник відділу фотоелектричних явищ у напівпровідниках.

Науковий ступінь доктора фізико-математичних наук отримала у 1986 році, вчене звання професора — у 1996.

Наукова діяльність Галузі наукових інтересів: нерівнова­­жні електронні процеси, реакції дефектів та дифузія в об'ємних і нанорозмірних напівпровідниках AIIBVI і Si. Встановила механізми процесів перетворення дефектів ґратки у напівпровідниках AIIBVI під дією випромінювання та ультразвуку.

Нагороди

Державна премія УРСР в галузі науки і техніки (1983) — за цикл робіт «Фізичні основи управління властивостями матеріалів та приладів твердотільної електроніки дією радіації» (спільно з Добролежем Сергієм Олександровичем, Горіним Борисом Михайловичем, Александровим Олександром Павловичем, Ківом Аріком Юхимовичем, Ясковцем Іваном Івановичем, Давидовою Надією Олександрівною, Шаховцовим Валерієм Івановичем, Вінецьким Валентином Львовичем і Бугаєм Олександром Аркадійовичем).

Праці Фотохимические реакции в по­­лупроводниках А2В6 // Физика со­еди­нений А2В6. Москва, 1986 (у спів­авторстві). Ultrasound stimulated defect reactions in semi­­con­­ductors // Defect Interaction and Clus­­tering in Semiconductors. Zürich, 2002 (у спів­авторстві). Mobile point defects in wide-band gap II—VI semiconductors as a factor of their instability // New Developments in Con­­densed Matter Physics. New York, 2006 (у спів­авторстві). Structure and optical properties of mag­­netron-sputtered SiOx layers with silicon nanoparticles // Defect and Diffusion Fo­­rum. Zürich, 2010. Vol. 303—304 (у спів­авторстві).

Примітки

Джерела