Доктор Симон Мін Зі (; ; 1936) — представник інженерної радіотехнічної науки США. Після закінчення Тайванського національного університету в 1957, він отримав ступінь магістра в Вашингтонському університеті в 1960 а потім доктарантуру в Стенфордському університеті в 1963. Він працював у Bell Labs до 1990, після чого він повернувся до Тайваню і приєднався до факультету NCTU. Він відомий своїми роботами в фізиці напівпровідників та в прикладних технологіях, включаючи винахід разом з Давоном Кангом транзистора з плавним затворомD. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288—1295., сьогодні широко використовуваний у комірках пам'яті. Він написав і видав багато книг, включаючи Physics of Semiconductor Devices, одна із найбільш цитованих монографій у галузі напівпровідникових приладів. Зі отримав нагороду the J. J. Ebers Award в 1991 за свій вклад у напівпровідникове приладобудування<ref>«за фундаментальний та піонерський вклад в широко використовувані науково- технічні тексти та книги в галузі електронного приладобудування». [http://www.ieee.org/portal/pages/society/eds/awards/ebers.html Electron Devices Society J.J. Ebers Award] , web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.</ref>
Примітки
Література
Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. М.:Мир, 1984. Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7. VLSI Technology'', ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5.
Посилання Сайт Інституту Електричних Інженерів