Даниэль Каплан (род. 28 апреля 1941 г.) - французский физик конденсированного состояния, основная работа которого посвящена электронным свойствам полупроводников, магнитному резонансу и лазерам с ультракороткими импульсами. Он является членом Французской академии наук.

Биография Даниэль Каплан - физик, работающий в области физики конденсированных сред, магнитного резонанса и лазерной оптики с ультракороткими импульсами. После окончания Политехнической школы (класс 1960) он поступил в Лабораторию конденсированных сред, возглавляемую в Политехнической школе. Защитил докторскую диссертацию о магнитном резонансе электронов проводимости в антимониде индия. Kaplan, D. et Gueron, M., « Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexités dans l’antominiure d’indium », CRAS, 1965, vol. 260, no 10, p. 2766 Параллельно он исследует новые методы обнаружения магнитного резонанса электронов ( спин- зависимая рекомбинация) и ядер (влияние ядерного поля на магнитосопротивление ). Sapoval, B., Kaplan, D., et Lampel, G., « Measurement of the hyperfine field contribution to quantum transport by NMR excitation », Solid State Communications, 1971, vol. 9, no 18, p. 1591-1593

Карьера С 1970 по 1972 годы Даниэль Каплан работал в США в исследовательском центре IBM TJ Watson. Используя магнитный резонанс, он исследует структуру тонких слоев аморфного кремния. Это показывает, что в чистом аморфном кремнии для удовлетворения напряжений структуры требуется минимальное число неудовлетворенных химических связей. Thomas, P. A., Brodsky, M. H., Kaplan, D., et al., « Electron spin resonance of ultrahigh vacuum evaporated amorphous silicon: In situ and ex situ studies », Physical Review B, 1978, vol. 18, no 7, p. 3059 Эти разрывы связей создают парамагнитные сайты, и уменьшение числа этих сайтов всегда происходит из-за дополнительных химических элементов, таких как водород. Гидрогенизированный аморфный кремний стал основным материалом для производства электронных устройств большой площади, таких как плоские экраны или фотоэлектрические панели.

В 1972 году он поступил в физическую лабораторию Центральной исследовательской лаборатории Thomson CSF (ныне Thales) в Палезо. Его основная исследовательская деятельность сосредоточена на понимании перехода, изолирующего металла в оксиды, такие как диоксид ванадия. D'Haenens, J. P., Kaplan, D., et Merenda, P., « Electron spin resonance in V1-xCrxO2 », Journal of Physics C: Solid State Physics, 1975, vol. 8, no 14, p. 2267 Комбинация оптических, электрических и магнитно-резонансных измерений выяснила роли подъема искажения сети и перехода Мотта в этом изменении фазы.Продолжение исследований по аморфному кремнию показывает, что сигналы парамагнитного резонанса, наблюдаемые в поверхностях кристаллов кремния, расщепленных в вакууме, обусловлены загрязнением мелкими частицами аморфного кремния. Kaplan, D., Lepine, D., Petroff, Y., et al., « New ESR Investigation of the Cleaved-Silicon Surface », Physical Review Letters, 1975, vol. 35, no 20, p. 1376 Это также демонстрирует процесс гидрирования слоев чистого аморфного кремния водородной плазмой. Kaplan, D., Sol, N., Velasco, G., et al., « Hydrogenation of evaporated amorphous silicon films by plasma treatment », Applied Physics Letters, 1978, vol. 33, no 5, p. 440-442 Кроме того, теоретическое объяснение механизма спин-зависимой рекомбинации в кремнии опубликовано в работе Kaplan, Solomon и Mott. Kaplan, D., Solomon, I., et Mott, N. F., « Explanation of the large spin-dependent recombination effect in semiconductors », Journal de Physique Lettres, 1978, vol. 39, no 4, p. 51-54

В 1983 году он стал научным руководителем медицинского отделения Thomson CSF (Thomson CGR). Затем руководил исследованиями и разработками в области цифровой радиологии, рентгеновского сканирования и магнитно-резонансной томографии.

В 1988 году он стал главой центральной исследовательской лаборатории Thomson CSF, которая проводит исследования, охватывающие информатику, электронные и оптические устройства и новые методы для бытовой электроники. Президент Французского физического общества с 1992 по 1994 год.

В 1993 году он покинул группу Thomson CSF и создал компанию Alloy для разработки оригинального способа проведения исследований государственно-частного партнерства. Компания Alloy нанимает молодых исследователей для работы в государственных лабораториях, во Франции или за рубежом, над промышленными проектами, менеджером которых является Даниэль Каплан. Он неоднократно представляет этот режим работы и его важность на конференциях. Kaplan D. Faire vraiment coopérer chercheurs et industriels. Séminaire de  l'innovation. Ecole de Paris du Management, 17 septembre 1997

В 1999 году он основал фирму Fastlite вместе с P Tournois для разработки и производства приборов в области ультракоротких лазерных импульсов. Флагманским продуктом компании станет оригинальное акустооптическое устройство (Dazzler ™), позволяющее электронное программирование спектральной фазы этих лазеров. Kaplan, D. et Tournois, P., « Theory and performance of the acousto optic programmable dispersive filter used for femtosecond laser pulse shaping », Journal de Physique IV (Proceedings). EDP sciences, 2002, p. 69-75 Это программирование является важным инструментом для реализации метода CPA ( чирпированного импульсного усиления ), изобретенного Муру́ и Стрикленд (Нобелевская премия 2018 г.), который глубоко изменил характеристики ультраинтенсивных лазеров. Компания также изобретет и коммерциализирует новый метод измерения временной формы импульсов. Oksenhendler, T., Coudreau, S., Forget, N., Crozatier, V., Grabielle, S.. Herzog, R., Gobert, D., Kaplan, D., « Self-referenced spectral interferometry », Applied Physics B, 2010, vol. 99, no 1-2, p. 7-12 Дэниел Каплан - президент компании Fastlite, которая продолжает изучать способы параметрического усиления ультракоротких импульсов.

Награды и звания

Кавалер Ордена Почётного легиона (2013) Член Французской академии наук, избран 5 ноября 2001 года Член Французской академии технологий в 2000 году Медаль Блонделя, присуждаемой Обществом электричества, электроники и информационных технологий и связи (1984) Сотрудник Национального Ордена Мерит.

Публикации В сотрудничестве с А. Аспектом, Р. Балианом, Г. Бастардом, Дж.П. Бушо, Б. Кабане, Ф. Комбес, Т. Энкреназ, С. Фове, А. Ферт, М. Финк, А. Жорж, Дж. Ф. Джоанни, Д. Le Bihan, P. Léna, H. Le Treut, JP Poirier, J. Prost и JL Puget, Demain la physique, издания Odile Jacob, 2009 ( )

Примечания

Категория:Википедия:Биографии современников Категория:Родившиеся в 1941 году Категория:Выпускники Политехнической школы Категория:Физики Франции Категория:Члены Французской академии наук