Il 2N7000 e il BS170 sono due MOSFET a canale N modalità enhancement per applicazioni di commutazione a bassa potenza, con differenti disposizioni dei terminali e valori nominali di corrente. A volte vengono elencati insieme nella stessa scheda tecnica con altre varianti come 2N7002, VQ1000J e VQ1000P.
Il 2N7000 è un componente molto diffuso, spesso consigliato tra quei componenti comuni utili da avere a portata di mano per uso hobbistico. Il BS250P è "un buon dispositivo complementare a canale p del 2N7000".
In formato contenitore TO-92, sia il 2N7000 che il BS170 sono dispositivi a 60 V. Il 2N7000 può commutare 200 mA mentre il BS170 può commutare 500 mA, con una resistenza di canale massima di 5 Ω a 10 V Vgs.
Il 2N7002 è un componente con resistenza, corrente nominale e contenitore ancora diversi. Il 2N7002 viene prodotto in TO-236, contenitore SMT anche chiamato SOT-23; il contenitore a tre conduttori a montaggio superficiale più diffuso.
Applicazioni Il 2N7000 è stato definito "FETlington" e come "componente hacker assolutamente ideale". La parola "FETlington" è un riferimento alla caratteristica di saturazione del transistor Darlington.
Uso tipico di questi transistor è come interruttore per tensioni e correnti moderate, o anche come driver per piccole lampade, motori e relè. Nei circuiti di commutazione, questi FET possono essere utilizzati in modo molto simile ai BJT, ma presentano alcuni vantaggi:
l'elevata impedenza di ingresso del gate isolato significa che non è richiesta quasi alcuna corrente di pilotaggio di conseguenza non è necessaria alcuna resistenza limitatrice di corrente nell'ingresso del gate I MOSFET, a differenza dei dispositivi di giunzione PN (come i LED) possono essere messi in parallelo perché la resistenza aumenta con la temperatura, sebbene la qualità di questo bilanciamento del carico non sia ideale e dipenda anche dal processo di fabbricazione di ogni singolo MOSFET nel circuito (ergo: alle volte è meglio bilanciare il parallelo con resistenze aggiuntive in serie a ogni transistor)
I principali svantaggi di questi FET rispetto ai transistor bipolari nella commutazione sono i seguenti:
suscettibilità a danni cumulativi da scarica statica prima dell'installazione circuiti con esposizione a gate esterno richiedono una resistenza di gate di protezione o altra protezione contro le scariche statiche risposta ohmica diversa da zero in saturazione, rispetto alla caduta di tensione di giunzione costante di un transistor bipolare
Note
Collegamenti esterni
dimostra un'impedenza di gate estremamente elevata con un semplice circuito LED Descrizione dettagliata dell'utilizzo di un MOSFET simile
Schede tecniche
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Categoria:Transistor ad effetto di campo