Niezwykle ważną zaletą IGBT jest (przejęta od tranzystora MOS) łatwość sterowania go przez zmianę potencjału izolowanej bramki, co bardzo upraszcza konstrukcję całego urządzenia. Pewną wadą tranzystorów IGBT jest natomiast znaczny spadek napięcia występujący na nich w stanie przewodzenia (ok. 2,5 V), jednakże sumaryczne straty mocy w IGBT są mniejsze niż w klasycznym tranzystorze bipolarnym. Kolejną wadą (jak wszystkich półprzewodników krzemowych) jest ograniczona temperatura pracy, od –20 °C do temperatury złącza około 150 °C. Jeszcze inną wadą jest występowanie tzw. „ogona prądowego” w procesie wyłączania tranzystora, co wydłuża czas autentycznego wyłączenia. Zjawisko to jest związane z potrzebą odprowadzenia ładunków mniejszościowych z obszaru bramki.
.
Symbol i schemat zastępczy tranzystora IGBT alt=|mały|Schemat zastępczy tranzystora IGBT Najpopularniejszy sposób oznaczania IGBT to skrzyżowanie symboli tranzystora bipolarnego oraz tranzystora polowego (lewy symbol na rysunku). Obszar kolektora C i emitera E jest zapożyczony wprost z symbolu tranzystora bipolarnego, zaś obszar bazy zastąpiony jest symbolem bramki G z tranzystora polowego.