Zależność opisuje wzór:
gdzie: – oporność właściwa (rezystywność) materiału przewodnika, – długość przewodnika, – pole przekroju.
Z powyższego wzoru wynika zależność na względny przyrost oporności:
gdzie: – przyrost oporności, – stała tensometru (współczynnik czułości na odkształcenie, zależny od rodzaju materiału, o wartości z zakresu 2–3), – odkształcenie.
Na podstawie odkształceń, korzystając z uogólnionego prawa Hooke’a, można wyznaczyć naprężenia.
Tensometry półprzewodnikowe Zasada działania W tego typu tensometrach, działanie sił mechanicznych na strukturę półprzewodnikową powoduje deformację sieci krystaliczne, a tym samym – zmianę rezystywności.
Piezorezystory Piezorezystory to elementy półprzewodnikowe, w których dominującym zjawiskiem jest zmiana rezystywności na skutek zmian naprężeń mechanicznych.
Wykonane są w postaci płytek lub nici krzemowych o grubości około 150 μm i długości do 12 mm. Naklejane są za pomocą technologii analogicznych dla tensometrów metalowych.
Najczęściej spotykane typy struktur krzemowych wykorzystywanych w tych sensorach to: sensory membranowe – służą do pomiaru ciśnienia lub przepływu, sensory belkowe – do pomiaru przyspieszenia.