Widoczna jest efektywna redukcja ruchliwości nośników z powodu oddziaływania pola magnetycznego B (dla ruchu prostopadłego do tego pola). Prąd elektryczny (proporcjonalny do radialnej składowej prędkości) będzie się zmniejszał wraz ze wzrostem pola magnetycznego, a zatem wzrośnie rezystancja urządzenia. Co ważniejsze, ten scenariusz magnetorezystancyjny zależy znacząco od geometrii urządzenia i linii prądowych.
W półprzewodniku z pojedynczym typem nośnika magnetorezystancja jest proporcjonalna do (1 + (μB)²) [m2/V·s lub T −1], gdzie μ to ruchliwość nośników, a B to indukcja pola magnetycznego [T]. Antymonid indowy, przykład półprzewodnika o wysokiej ruchliwości, może mieć ruchliwość elektronów powyżej 4 T −1 przy 300 K. Tak więc na przykład w polu 0,25 T wzrost magnetooporności wyniósłby 100%.
Przypisy
Kategoria:Spintronika