Pomimo tego, że dioda Gunna nazywana jest „diodą”, to nie jest to do końca właściwa nazwa, gdyż w swojej strukturze nie zawiera złącza p-n, co różni ją od typowej diody półprzewodnikowej. Z tego wynika, że dioda Gunna nie jest w stanie przewodzić tylko w jednym kierunku i działać jako dioda prostownicza. Zamiast tego składa się z trzech obszarów: dwóch bardzo silnie domieszkowanych obszarów typu „n” i cienkiego obszaru między nimi o niskim stężeniu domieszek.

Metoda produkcji Półprzewodnikowe diody mikrofalowe produkowane są w specjalnym środowisku (w otoczeniu ołowiu ze względu na wysoką wrażliwość na impulsy elektromagnetyczne). Wysokiej jakości diody mikrofalowe cechują się bardzo niską wartością indukcyjności i pojemności, co pozwala na umieszczenie ich w obwodzie mikrofalowym. Jednym z najbardziej znanych zastosowań diody Gunna jest wykorzystanie jej do konstrukcji oscylatora z diodą Gunna, które są wykorzystywane do generowania mikrofali lub kontrolowania częstotliwości. Innymi zastosowaniami są m.in. przekaźniki mikrofalowe, radary i procesy automatyzacji.